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GB/T17626電磁兼容抗擾度試驗(yàn)要測(cè)試哪些項(xiàng)目
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GB/T17626電磁兼容抗擾度試驗(yàn)要測(cè)試哪些項(xiàng)目？EMC電磁兼容性是指電磁不干擾其他設(shè)備、即使受到其他設(shè)備干擾也能保持原本的性能和功能，EMC包含兩大部分，一個(gè)是電磁兼容抗擾度EMS,一個(gè)是電磁兼容發(fā)射EMI;
EMI電磁干擾由于IC工作產(chǎn)生噪聲（EMI），給周邊IC和系統(tǒng)帶來(lái)干擾或有干擾性的電磁波，需要設(shè)計(jì)不產(chǎn)生EMI的電路。
EMS電磁敏感性即使受到外界的干擾也不會(huì)造成干擾的能力與耐受性，產(chǎn)品的抗電磁干擾能力需要比較強(qiáng)大。
傳導(dǎo)噪聲：由線束和PCB板布線傳導(dǎo)的噪聲；
輻射噪聲：釋放輻射到空氣中的噪聲。
差模噪聲是有用的信號(hào)，共模噪聲是無(wú)用的信號(hào)。
GB/T17626《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)》目前包含以下內(nèi)容：
GB/T 17626.1-2006電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論；
GB/T 17626.2-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)靜電放電抗干擾度試驗(yàn)；
GB/T 17626.3-2016電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)射頻電磁場(chǎng)輻射抗干擾；
GB/T 17626.4-2018電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)；
GB/T 17626.5-2008電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)浪涌（沖擊）抗擾度試驗(yàn)；
EMC包含兩大項(xiàng)：EMI（電磁干擾）和EMS（電磁抗干擾）
1、EMI（Electro-Magnetic Interference）
設(shè)備在正常運(yùn)行過(guò)程中對(duì)所在環(huán)境產(chǎn)生的電磁干擾不能超過(guò)一定的限值。
EMI測(cè)試主要內(nèi)容：
Radiated Emission－輻射
Conducted Emission－傳導(dǎo)
Harmonic－諧波電流
Flicker－電壓變化和閃爍
2、EMS（Electro-Magnetic Susceptibility）
設(shè)備對(duì)所在環(huán)境中存在的電磁干擾具有一定程度的抗擾度。
EMS測(cè)試主要內(nèi)容：
Electrostatic discharges（ESD）－靜電
RS－射頻電磁場(chǎng)輻射
CS－射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾
Voltage dips and interruptions（DIP）－電壓暫降，短時(shí)中斷和電壓變化
Surges－浪涌
Electrical fast transients（EFT）－電快速瞬變脈沖群
PFMF－工頻磁場(chǎng)
EMC測(cè)試步驟
1、確定測(cè)試設(shè)備和標(biāo)準(zhǔn)：確定需要測(cè)試的設(shè)備以及使用的標(biāo)準(zhǔn)。
2、測(cè)試準(zhǔn)備：準(zhǔn)備測(cè)試設(shè)備，并確定測(cè)試環(huán)境。
3、進(jìn)行測(cè)試：根據(jù)選定的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。
4、數(shù)據(jù)分析：分析測(cè)試數(shù)據(jù)，評(píng)估測(cè)試結(jié)果。
5、報(bào)告：準(zhǔn)備測(cè)試報(bào)告，提交給歐測(cè)認(rèn)證機(jī)構(gòu)。
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